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PECVD开启式管式炉系统
关 键 词:PECVD系统,真空镀膜、纳米薄膜材料制备
PECVD开启式管式炉系统在真空压力下,加在电感线圈的射频电场,使反应室气体发生辉光放电,在辉光发电区域产生大量的电子。这些电子在电场的作用下获得充足的能量,其本身温度很高,它与气体分子相碰撞,使气体分子活化。它们吸附在衬底上,并发生化学反应生成介质膜,副产物从衬底上解吸,随主气流由真空泵抽走,称为等离子体增强化学气相沉(PECVD)。
型       号:PECVD-1200
品       牌:钜晶
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在真空压力下,加在电感线圈的射频电场,使反应室气体发生辉光放电,在辉光发电区域产生大量的电子。这些电子在电场的作用下获得充足的能量,其本身温度很高,它与气体分子相碰撞,使气体分子活化。它们吸附在衬底上,并发生化学反应生成介质膜,副产物从衬底上解吸,随主气流由真空泵抽走,称为等离子体增强化学气相沉(PECVD)

PECVD开启式管式炉系统由开启式管式炉、高真空分子泵系统、射频电源系统及多通道高精度数字质量流量控制系统组成,是实验室生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等的理想选择。

主要功能和特点:

1PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等;

2PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应;

3、借助射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜;

4、高真空系统由双级旋片真空泵和分子泵组成,最高真空可达0.001Pa

5、数字质量流量控制系统是由多路质量流量计,流量显示仪等组成,实现气体的流量的精密测量和控制;

6、每条气体管路均配备高压逆止阀,保证系统的安全性和连续均匀性;

7、采用KF快速法兰密封,装卸方便快捷;

8、管路采用世界顶级Swagelok卡套连接,不漏气;

9、超温、过压时,自动切断加热电源及流量计进气,使用安全可靠。

主要用途:

高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备,生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等,也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。

技术参数:

SKGL-1200

开启式管式炉

控温方式

采用人工智能调节技术,具有PID调节、自整定功能,并可编制30段升降温程序。

加热元件

0Cr27Al7Mo2

工作电源

AC220V 50Hz/60Hz

额定功率

4kw

炉管材质

高纯石英管

炉管尺寸

Φ60/Φ80*1200mm

工作温度

1150

最高温度

1200

恒温精度

±1

恒温区

200mm

升温速度

10/min

密封方式

不锈钢快速法兰挤压密封

ZK-F

分子泵真空系统

真空范围

0.1-0.001Pa

极限真空

4.0*10^-4Pa

产品配置

双级旋片真空泵+分子泵

测量方式

复合真空计

真空规管

电阻规+电离规

冷却方式

风冷

工作电源

AC220V 50/60HZ

抽速

110L/S

射频电源系统

射频功率输出范围

5~500W

射频频率

13.56MHz±0.005%

噪声

55DB

冷却方式

风冷

功率温定度

± 0.1%

HQZ-

混气系统

流量规格

0200sccm (可根据客户需要配置)

线性

±1.5%F.S

准确度

±1.5%F.S

重复精度

±0.2%F.S.

响应时间

8sec

耐压

3MPa

气路通道

4通道(根据客户需求)

针阀

316不锈钢

管道

Φ6mm不锈钢管

接口

SwagelokΦ6mm


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